IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7351TRPBF بواسطة Infineon و IRF7341GTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7351TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7351TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 8 A | 5.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 17.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | 2.4 W |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET trench) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| العلبة | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount | 8-SO (SOIC-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Typical Application | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters | — |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |