IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7351TRPBF tarafından Infineon ve IRF7341GTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7351TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7351TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 8 A | 5.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 17.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | 2.4 W |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET trench) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Paket | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount | 8-SO (SOIC-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Typical Application | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters | — |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |