IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7341GTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7351TRPBF IRF7341GTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) 2 W 2.4 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR HEXFET Planar MOSFET
پیکیج 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں