IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF7351TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7341GTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF - 60V 8A Dual N-Channel MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7351TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF - 55V Dual N-Channel MOSFET 5.1A SO-8 | Infineon

IRF7341GTRPBF - 55V Dual N-Channel MOSFET 5.1A SO-8 | Infineon

IRF7341GTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF7351TRPBF IRF7341GTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) 2 W 2.4 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR HEXFET Planar MOSFET
প্যাকেজ 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +175 C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট