IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7351TRPBF bằng Infineon và IRF7341GTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7351TRPBF | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7351TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 8 A | 5.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 17.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | 2.4 W |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET trench) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Hộp | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount | 8-SO (SOIC-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Typical Application | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |