IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7351TRPBF توسط Infineon و IRF7341GTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7351TRPBF IRF7341GTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) 2 W 2.4 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR HEXFET Planar MOSFET
بسته‌بندی 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت