IRF9530NPBF vs IRF9540NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9530NPBF بواسطة Infineon و IRF9540NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF9530NPBF IRF9540NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة TO-220AB (through-hole) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
نوع الترانزستور — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر