IRF9530NPBF vs IRF9540NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF9530NPBF توسط Infineon و IRF9540NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF9530NPBF IRF9540NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole) —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
نوع ترانزیستور — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
محدوده دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
بسته‌بندی / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت