IRF9Z24NPBF vs IRF9540NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9Z24NPBF بواسطة Infineon و IRF9540NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF9Z24NPBF IRF9540NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -12 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=-10V 0.175 ohm —
Gate Charge (Qg) typ 12.7 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.67 C/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-220AB (3-pin) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology HEXFET (planar DMOS, Gen 5) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
نوع الترانزستور — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر