IRF9Z24NPBF vs IRF9540NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF9Z24NPBF bằng Infineon và IRF9540NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF - P-Channel 55V 12A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9Z24NPBF - P-Channel 55V 12A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9Z24NPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF9540NPBF IRF9540NPBF - P-Ch 100V 23A 117mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9540NPBF - P-Ch 100V 23A 117mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRF9540NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF9Z24NPBF IRF9540NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -12 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=-10V 0.175 ohm —
Gate Charge (Qg) typ 12.7 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.67 C/W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-220AB (3-pin) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology HEXFET (planar DMOS, Gen 5) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
Kiểu transitor — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Hộp / Vỏ — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá