IRF9Z24NPBF vs IRF9540NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9Z24NPBF بذریعہ Infineon اور IRF9540NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9Z24NPBF IRF9540NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -12 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=-10V 0.175 ohm —
Gate Charge (Qg) typ 12.7 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.67 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (3-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology HEXFET (planar DMOS, Gen 5) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں