IRF9Z24NPBF vs IRF9540NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9Z24NPBF tarafından Infineon ve IRF9540NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9Z24NPBF IRF9540NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C -12 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Rds(on) max @ Vgs=-10V 0.175 ohm —
Gate Charge (Qg) typ 12.7 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.67 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-220AB (3-pin) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology HEXFET (planar DMOS, Gen 5) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF9540NPBF
Transistor Türü — P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -23 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 117 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 140 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab)
Process Technology — Planar HEXFET cell structure
Qualification — JEDEC standard
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes (Pb-free matte tin plating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin