IRF9Z24NPBF vs IRF9540NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF9Z24NPBF מאת Infineon ו IRF9540NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF9Z24NPBF | IRF9540NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | -12 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (Vgs) max | ±20 V | — |
| Rds(on) max @ Vgs=-10V | 0.175 ohm | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 12.7 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 45 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.67 C/W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-220AB (3-pin) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Technology | HEXFET (planar DMOS, Gen 5) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF9540NPBF |
| סוג טרנזיסטור | — | P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | -23 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 117 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 64.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 140 W |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז / Case | — | TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) |
| Process Technology | — | Planar HEXFET cell structure |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (Pb-free matte tin plating) |