IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4110PBF بواسطة Infineon و IRF2907ZSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFB4110PBF | IRF2907ZSTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $1.55 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | IR HEXFET / IR MOSFET |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount (SMD) |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | Yes (PBF suffix) |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 75 V |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 170 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=100°C) | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | — | 4.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | — | 3.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | — | 300 W |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Packaging | — | Tape and Reel (left orientation) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) |