IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور IRF2907ZSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB4110PBF IRF2907ZSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $1.55 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
پیکیج TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Technology HEXFET (planar DMOS) IR HEXFET / IR MOSFET
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount (SMD)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes (PBF suffix)
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 170 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں