IRFB4110PBF vs IRF2907ZSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4110PBF tarafından Infineon ve IRF2907ZSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB4110PBF IRF2907ZSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $1,55 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Paket TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263AB) surface mount
Technology HEXFET (planar DMOS) IR HEXFET / IR MOSFET
Montaj Türü Through Hole Surface Mount (SMD)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes (PBF suffix)
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 170 A
Devamlı Akım Akışı (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin