IRFP1405PBF vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP1405PBF بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFP1405PBF IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar cell) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 95 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 5.3 mΩ (typical per distributor listing) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Maximum Power Dissition at Tc=25°C 310 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
العلبة TO-247AC (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Qualification JEDEC standard (industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
مستوى MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر