IRFP1405PBF vs IRFB3207ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFP1405PBF توسط Infineon و IRFB3207ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFP1405PBF IRFB3207ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar cell) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 95 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 5.3 mΩ (typical per distributor listing) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Maximum Power Dissition at Tc=25°C 310 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی TO-247AC (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Qualification JEDEC standard (industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
سطح MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت