IRFP1405PBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP1405PBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP1405PBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar cell) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 95 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 5.3 mΩ (typical per distributor listing) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Maximum Power Dissition at Tc=25°C 310 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז TO-247AC (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Qualification JEDEC standard (industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
רמת MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר