IRFP1405PBF vs IRFB3207ZPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFP1405PBF द्वारा Infineon और IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFP1405PBF IRFP1405PBF - 55V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP1405PBF - 55V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP1405PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFP1405PBF IRFB3207ZPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar cell) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 95 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 5.3 mΩ (typical per distributor listing) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Maximum Power Dissition at Tc=25°C 310 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C —
पैकेज TO-247AC (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Qualification JEDEC standard (industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL स्तर — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

डेटाशीट और संसाधन

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