IRFP1405PBF vs IRFB3207ZPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFP1405PBF bằng Infineon và IRFB3207ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFP1405PBF IRFP1405PBF - 55V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP1405PBF - 55V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP1405PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFP1405PBF IRFB3207ZPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar cell) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 95 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100°C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V 5.3 mΩ (typical per distributor listing) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Maximum Power Dissition at Tc=25°C 310 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp TO-247AC (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free suffix PBF) —
Qualification JEDEC standard (industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Cấp MSL — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá