IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR024NTRPBF بواسطة Infineon و IRF8714TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR024NTRPBF | IRF8714TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | SO-8 (8-SOIC) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per Infineon package qualification) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 14 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 8.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 8.1 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |