IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR024NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRF8714TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR024NTRPBF IRF8714TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SO-8 (8-SOIC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon package qualification)
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 14 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 8.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Gate Charge (Qg) typical — 8.1 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
پن کی تعداد — 8
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں