IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR024NTRPBF tarafından Infineon ve IRF8714TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR024NTRPBF IRF8714TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SO-8 (8-SOIC)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon package qualification)
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 14 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 8.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Gate Charge (Qg) typical — 8.1 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı — 8
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin