IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR9120NTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR120NTRLPBF | IRFR9120NTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | -2 V to -4 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -6.6 A (Tc) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 480 mOhm max @ VGS = -10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Power Dissipation (PD) | — | 40 W (Tc) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (Tj) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |