IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR120NTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR9120NTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] -2 V to -4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (Tj)
পিন সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL লেভেল — 1
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট