IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR120NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR9120NTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR120NTRLPBF | IRFR9120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | -2 V to -4 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -6.6 A (Tc) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 480 mOhm max @ VGS = -10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Power Dissipation (PD) | — | 40 W (Tc) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (Tj) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |