IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR120NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR9120NTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] -2 V to -4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (Tj)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں