IRFR120NTRLPBF vs IRFR9120NTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR120NTRLPBF bằng Infineon và IRFR9120NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF - 100V P-Channel MOSFET, 6.6A, DPAK | Infineon

IRFR9120NTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] -2 V to -4 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (Tj)
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Cấp MSL — 1
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá