IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR220NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR220NTRPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Planar) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | 600 milliohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC (typical per Mouser listing) | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | 43 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +150°C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully characterized) | Yes (per datasheet characterization) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 5 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 43 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| العلبة / الحالة | — | TO-252AA (DPAK) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |