IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR220NTRPBF توسط Infineon و IRFR220NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
بسته‌بندی / کیس — TO-252AA (DPAK)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت