IRFR220NTRPBF vs IRFR220NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR220NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NTRPBF IRFR220NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin