IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon و IRFR540ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3710ZTRPBF | IRFR540ZTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 35 A (at Tc) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) Max | — | 28.5 mOhm at Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 39 nC |
| Power Dissipation (Pd) | — | 91 W (at Tc) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (junction) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |