IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3710ZTRPBF מאת Infineon ו IRFR540ZTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (junction)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
רמת MSL — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר