IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3710ZTRPBF द्वारा Infineon और IRFR540ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3710ZTRPBF | IRFR540ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 35 A (at Tc) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance Rds(on) Max | — | 28.5 mOhm at Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 39 nC |
| Power Dissipation (Pd) | — | 91 W (at Tc) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (junction) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |