IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR540ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (junction)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL لیول — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں