IRFR3710ZTRPBF vs IRFR540ZTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR540ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRPBF IRFR540ZTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) — 35 A (at Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) Max — 28.5 mOhm at Vgs=10V
Gate-Source Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 39 nC
Power Dissipation (Pd) — 91 W (at Tc)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (junction)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Seviyesi — 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin