IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3806TRPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | 56 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| العلبة / الحالة | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| العلبة | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |