IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3806TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3806TRPBF IRFR2405TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A 56 A
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
پیکیج / کیس TO-252AA (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
پیکیج — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں