IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3806TRPBF द्वारा Infineon और IRFR2405TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | 56 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |