IRFR3806TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3806TRPBF tarafından Infineon ve IRFR2405TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR3806TRPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | 56 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Paket / Kas | TO-252AA (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Paket | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |