IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR4615TRLPBF بواسطة Infineon و IRLR3110ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR4615TRLPBF | IRLR3110ZTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET / Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | 15 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | 140 W |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | 109 mJ | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 14 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | 1 (Unlimited) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free Plating | — | Yes (PBF suffix) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |