IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3110ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال
Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR4615TRLPBF IRLR3110ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) HEXFET / Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC 15 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W 140 W
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
سنگل پلس ایوالانچ انرجی 109 mJ —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max @ VGS=10V — 14 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
MSL لیول — 1 (Unlimited)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں