IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR4615TRLPBF توسط Infineon و IRLR3110ZTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال
Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR4615TRLPBF IRLR3110ZTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) HEXFET / Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC 15 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W 140 W
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
انرژی بهمنی تک‌پالس 109 mJ —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max @ VGS=10V — 14 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
سطح MSL — 1 (Unlimited)
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت