IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4615TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR3110ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR4615TRLPBF IRLR3110ZTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) HEXFET / Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC 15 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W 140 W
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি 109 mJ —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max @ VGS=10V — 14 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +175C
MSL লেভেল — 1 (Unlimited)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট