IRFR4615TRLPBF vs IRLR3110ZTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon और IRLR3110ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR4615TRLPBF IRLR3110ZTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) HEXFET / Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC 15 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W 140 W
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी 109 mJ —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max @ VGS=10V — 14 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
MSL स्तर — 1 (Unlimited)
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free Plating — Yes (PBF suffix)
हैलोजन फ्री — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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