IRFR5305TRPBF vs IPD380P06NMATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5305TRPBF بواسطة Infineon و IPD380P06NMATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5305TRPBF | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C (junction) |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS P-channel trench |
| مستوى MSL | 1 | 1 |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 35 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |