IRFR5305TRPBF vs IPD380P06NMATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRPBF tarafından Infineon ve IPD380P06NMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5305TRPBF IPD380P06NMATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
Paket TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) OptiMOS P-channel trench
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin