IRFR5305TRPBF vs IPD380P06NMATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5305TRPBF بذریعہ Infineon اور IPD380P06NMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ فعال
Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5305TRPBF IPD380P06NMATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
پیکیج TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) OptiMOS P-channel trench
MSL لیول 1 1
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں