IRFR6215TRLPBF vs IRFR6215TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR6215TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR6215TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR6215TRLPBF | IRFR6215TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -150 V | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -13 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 580 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 44 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| مستوى MSL | 1 | MSL1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | -13 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 110 W |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 0.295 ohm at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| REACH Status | — | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |